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天天谈芯的专栏

  • 拚FinFET,TSMC和UMC谁将抢先

  • 返回文章列表下一篇:   |   2012-08-23 11:30:51
    晶圆代工双雄TSMC和UMC拼斗二十余年,TSMC始终领先,压制着UMC,收入是UMC的4倍有余,利润更是高达15倍,代工的客户一直是业界的设计翘楚,包括ALTERA、QUALCOMM、BOARDCOM、NVIDIA、MTK等。在制程方面也基本上是TSMC压制着UMC。

    但是在新技术上FinFET的推出上,双方的竞争更是激烈。

    2011年6月,半导体巨头Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构,吸引了全球半导体厂商的注意,代工商也不例外。

    TSMC于7月与ARM签署使用台积电的FinFET工艺制造下一代64bit ARM处理器产品的合作协议,从新协议的有效时间看,延伸到了台积电计划中的20nm级别产品推出的时间点之后,即2013年以后。据悉这次合作还有望推出采用台积电的16nm CMOS制程制造的处理器产品,台积电计划2015年下半年开始量产这种产品。

    2012年7月,UMC宣布与IBM签订技术授权合约,将以3D架构的鳍式场效晶体管(FinFET),促进次世代尖端20纳米CMOS制程的开发,以加速UMC次世代尖端技术的研发时程。在7月UMC的法说会上,UMC CEO孙世伟表示,联电的首次FinFET元件将以和20nm平面CMOS相同的20nm后段制程为基础。他同时对TSMC的做法不认同,他表示许多公司都采取相同做法,但有些人将之定义为16或14nm制程。他进一步指出,这实际上只是行销手法罢了。

    但是根据接近IBM技术联盟的人士表示,联电取得的FinFET授权是在矽晶圆上制造,而不是在绝缘层上覆矽(SOI)晶圆上,这将使联电能更快地引进技术,并使用运行20nm块状CMOS制程来量产。若能确保鳍已经具备良好的矩形截面定义,就能更显著地展现出性能的差异化,同时,未来在SOI晶圆上生产FinFET时也能进一步改善漏电流性能。

    看来双雄的竞争将日趋激烈,让我们拭目以待,看看谁将首先推出FinFET制程。
  • 阅读(41594)  |   评论(38)  |   推荐(121)
网友评论
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  • 匿名好。
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  • 2012/9/1 15:34:02回复
  • 头像
  • 匿名路过...
  • 2012/8/29 15:20:55回复
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  • 匿名看来双雄的竞争将日趋激烈,让我们拭目以待,看看谁将首先推出FinFET制程。
  • 2012/8/29 15:20:37回复
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  • 匿名专业呀
  • 2012/8/29 15:20:16回复
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  • 匿名联电取得的FinFET授权是在矽晶圆上制造
  • 2012/8/29 15:19:49回复
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  • 匿名门外汉路过!
  • 2012/8/29 13:57:16回复
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  • 匿名分享!
  • 2012/8/29 13:56:42回复
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  • 匿名都是专业术语!
  • 2012/8/29 13:56:19回复
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  • 匿名顶!
  • 2012/8/29 13:55:27回复
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  • 匿名未来在SOI晶圆上生产FinFET时也能进一步改善漏电流性能。
  • 2012/8/28 10:13:35回复
  • 发表评论(已有38条评论)
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